DTA114YMT2L详细信息_DTA114YMT2L相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	10 kOhms
典型电阻器比率	4.7
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	VMT-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	68
集电极—发射极最大电压 VCEO	- 50 V
集电极连续电流	- 100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	DTA114YM
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	0.5 mm
长度	1.2 mm
宽度	0.8 mm
商标	ROHM Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors
零件号别名	DTA114YM

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
TSM60N600CI	Taiwan Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 600V, 8A, 600mOhm	4,000:¥7.2998 5,000:¥7.0286 10,000:¥6.8817	参考库存:33283
2N4236	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT	100:¥261.4142 250:¥244.0461	参考库存:33288
MG12300D-BN2MM	Littelfuse	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 1200V 300A Dual 150TVj	1:¥1,475.328 5:¥1,436.908 10:¥1,410.7824 25:¥1,364.6784	参考库存:33293
CZT2955 TR	Central Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Power	2,000:¥4.9155 10,000:¥4.7234	参考库存:26534
A3T23H450W23SR6	NXP Semiconductors	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T23H450W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP	1:¥1,069.8388 5:¥1,048.866 10:¥999.9935 25:¥978.9416 100:¥929.99 150:¥865.1393	参考库存:7286