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晶体管
MMSTA56Q-7-F参考图片

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MMSTA56Q-7-F

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) General Purpose Transistor
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数量单价合计
1
¥2.8476
2.8476
10
¥1.9097
19.097
100
¥0.79891
79.891
1,000
¥0.54579
545.79
3,000
¥0.42262
1267.86
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 80 V
集电极—基极电压 VCBO
- 80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 4 V
集电极—射极饱和电压
- 0.25 V
增益带宽产品fT
50 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MMSTA56Q
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
- 500 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
100
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，MMSTA56Q-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DRC9124X0L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
3,000:¥0.52997
9,000:¥0.46895
24,000:¥0.43844
参考库存:28306
2PS13512E43W35222NOSA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 STACKS IPM
1:¥38,286.8408
参考库存:28311
PD57060S-E
STMicroelectronics
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
1:¥415.6253
5:¥406.3254
10:¥390.4263
25:¥377.8268
参考库存:28316
JANTX2N2946A
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥123.17
10:¥111.9604
25:¥103.5758
50:¥97.971
参考库存:28321
RN1965FE(TE85L,F)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
1:¥3.2318
10:¥2.0679
100:¥0.86106
1,000:¥0.59212
4,000:¥0.44522
参考库存:28326

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