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晶体管
DMN33D8LV-7参考图片

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DMN33D8LV-7

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库存:95,114(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.2261
22.261
100
¥0.95259
95.259
1,000
¥0.72998
729.98
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, NPN
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
350 mA
Rds On-漏源导通电阻
2.4 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
1.25 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
430 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
13.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.6 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18.2 ns
典型接通延迟时间
2.9 ns
商品其它信息
优势价格,DMN33D8LV-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Chan 500V 3.3 Amp
3,000:¥5.5709
参考库存:29381
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥0.99892
10:¥0.89157
100:¥0.31527
1,000:¥0.2147
3,000:¥0.16159
参考库存:108791
晶体管
JFET N-Ch JFET -35V -3Vds 50mA 360mW 3.27mW
1:¥25.4363
10:¥20.4417
100:¥16.8257
500:¥15.142
参考库存:6958
晶体管
MOSFET NCH 1.8V DRIVE SERIE
1:¥3.4578
10:¥2.8589
100:¥1.7402
1,000:¥1.356
3,000:¥1.1526
参考库存:29390
晶体管
MOSFET SWITCHING DEVICE
1:¥13.6052
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.1473
3,000:¥6.2263
6,000:查看
参考库存:19825
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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