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晶体管
SI7415DN-T1-GE3参考图片

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SI7415DN-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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数量单价合计
1
¥12.0684
12.0684
10
¥9.9892
99.892
100
¥7.7631
776.31
500
¥6.8026
3401.3
3,000
¥6.8026
20407.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
5.7 A
Rds On-漏源导通电阻
65 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
3.3 mm
系列
SI7
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
11 S
下降时间
16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
SI7415DN-GE3
商品其它信息
优势价格，SI7415DN-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IKA06N60T
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 6.2A
1:¥12.6786
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.571
1,000:¥6.2715
参考库存:4243
MMBT2222ATT1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJT SS SC75 GP XSTR NPN 40V
1:¥0.99892
10:¥0.92999
100:¥0.32996
1,000:¥0.22261
3,000:¥0.1695
参考库存:531315
FDPF085N10A
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
1:¥15.368
10:¥13.0628
100:¥10.4525
500:¥9.1417
1,000:¥7.571
参考库存:5717
IHW30N135R3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
1:¥38.8833
10:¥33.0412
100:¥28.6568
250:¥27.1991
500:¥24.3628
参考库存:3059
PDTA114EQAZ
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PDTA114EQA/DFN1010D-3/REEL 7
1:¥2.0001
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
5,000:¥0.29154
参考库存:26861

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    50万现货SKU

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