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晶体管
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FCPF260N60E

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库存:10,426(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥17.1308
17.1308
10
¥14.5205
145.205
100
¥11.6051
1160.51
500
¥10.1474
5073.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
260 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
48 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
36 W
配置
Single
商标名
SuperFET II
封装
Tube
高度
16.07 mm
长度
10.36 mm
产品
MOSFET
系列
FCPF260N60E
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.9 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
15.5 S
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
2.270 g
商品其它信息
优势价格,FCPF260N60E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 100V 30A 43W 29 mohms @ 10V
1:¥14.3736
10:¥12.7577
100:¥10.1474
500:¥7.91
1,000:¥6.3732
3,000:¥5.9099
参考库存:70137
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP BJT NPN 25V 2A 4PIN
1:¥4.8364
10:¥3.9776
100:¥2.4182
1,000:¥1.8758
2,000:¥1.5933
参考库存:4029
晶体管
IGBT 模块 ELECTRONIC COMPONENT
1:¥1,133.8533
5:¥1,106.5751
10:¥1,079.0596
25:¥1,063.9289
参考库存:1661
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 100mA 50V w/bias resistor
1:¥1.695
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:35428
晶体管
MOSFET FET 60V 1.65 MOHM PQFN56
1:¥30.5778
10:¥25.9674
100:¥22.5096
250:¥21.357
3,000:¥15.368
参考库存:15945
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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