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晶体管
IPD5N25S3-430参考图片

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IPD5N25S3-430

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库存:8,001(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.0681
6.0681
10
¥5.1076
51.076
100
¥3.2996
329.96
1,000
¥2.6329
2632.9
2,500
¥2.2261
5565.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
5 A
Rds On-漏源导通电阻
430 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
4.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
41 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
IPD5N25
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8 ns
典型接通延迟时间
3 ns
零件号别名
IPD5N25S3430ATMA1 IPD5N25S343XT SP000876584
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPD5N25S3-430的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V, N-Ch NexFET Power MOSFET
1:¥6.9156
10:¥5.9212
100:¥4.5313
250:¥4.5313
500:¥4.0002
参考库存:3414
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V Vceo 2A Ic MPT3
1:¥3.9211
10:¥2.9493
100:¥1.5933
1,000:¥1.1978
2,000:¥1.03734
参考库存:14886
晶体管
MOSFET PMV280ENEA/SOT23 TO-236AB
1:¥3.3787
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
参考库存:19248
晶体管
MOSFET 20V Vds 8V Vgs SOT-23
1:¥4.068
10:¥3.0623
100:¥2.2713
500:¥1.8645
1,000:¥1.4464
3,000:¥1.4125
参考库存:490200
晶体管
MOSFET P-Chan 60V 1.1 Amp
1:¥7.5258
10:¥6.6331
100:¥5.1528
500:¥3.8533
1,000:¥3.1188
2,500:¥3.1188
参考库存:250572
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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