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晶体管
STD12NM50ND参考图片

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STD12NM50ND

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 500 V 11 A Fdmesh
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库存:42,409(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥25.6623
25.6623
10
¥21.8203
218.203
100
¥18.9049
1890.49
250
¥17.9783
4494.575
2,500
¥12.9046
32261.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
380 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
30 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
100 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STD12NM50ND
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
8 S
下降时间
17 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
12 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STD12NM50ND的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,207.4615
参考库存:31922
晶体管
达林顿晶体管 PNP Darlington
9,000:¥0.70738
24,000:¥0.64523
45,000:¥0.62263
99,000:¥0.5989
参考库存:31927
晶体管
MOSFET
3,000:¥6.9495
6,000:¥6.7009
9,000:¥6.441
参考库存:31932
晶体管
MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 1000V 1.85A 8.5 Ohms
1:¥8.6784
10:¥7.684
100:¥6.0568
500:¥4.6895
2,500:¥3.3561
5,000:查看
参考库存:31937
晶体管
MOSFET -20V -2.8A
3,000:¥1.3786
9,000:¥1.2204
24,000:¥1.1526
45,000:¥1.07576
参考库存:31942
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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