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晶体管
SI1443EDH-T1-GE3参考图片

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SI1443EDH-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -30V Vds 12V Vgs SC70-6
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库存:33,400(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.4522
4.4522
10
¥2.9945
29.945
100
¥2.034
203.4
500
¥1.6272
813.6
3,000
¥1.12209
3366.27
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
43 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
28 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
2.1 mm
系列
SI1
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.25 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
14 S
下降时间
435 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
220 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
1115 ns
典型接通延迟时间
125 ns
零件号别名
SI1443EDH-GE3
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
优势价格,SI1443EDH-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Triple Diffused Planar Silicon
1:¥7.2998
10:¥6.2037
100:¥4.7686
500:¥4.2149
参考库存:8014
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥3.0736
10:¥2.0566
100:¥0.86106
1,000:¥0.58421
4,000:¥0.46104
参考库存:23776
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Transistor
1:¥2.0792
10:¥1.3673
100:¥0.56839
1,000:¥0.39211
2,000:¥0.30736
参考库存:92528
晶体管
MOSFET N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3
1:¥4.6104
10:¥3.8759
100:¥2.4973
1,000:¥2.0001
5,000:¥1.695
参考库存:43280
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 11A 110mOhm 29.3nC
1:¥9.1417
10:¥7.7631
100:¥5.989
500:¥5.2997
1,000:¥4.181
参考库存:17507
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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