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晶体管
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IRFI530NPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT 100V 11A 110mOhm 29.3nC
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1
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10
¥7.7631
77.631
100
¥5.989
598.9
500
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2649.85
1,000
¥4.181
4181
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
110 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
29.3 nC
Pd-功率耗散
33 W
配置
Single
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001554868
单位重量
6 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SSM6N44FE,LM
Toshiba
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MOSFET N-Ch Sm Sig FET 0.1A 30V 2-in-1
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100:¥6.4071
参考库存:5292
BFR183E6327HTSA1
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1:¥2.9945
10:¥2.1131
100:¥0.97632
1,000:¥0.7458
3,000:¥0.63732
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SI5468DC-T1-GE3
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1:¥4.068
10:¥2.7233
100:¥1.8419
500:¥1.4803
3,000:¥1.01474
6,000:查看
参考库存:31101

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