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晶体管
BSC030N08NS5ATMA1参考图片

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BSC030N08NS5ATMA1

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库存:82,786(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥15.5262
15.5262
10
¥13.1419
131.419
100
¥10.5316
1053.16
500
¥9.2208
4610.4
5,000
¥6.8704
34352
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
4.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
61 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
139 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 5
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
55 S
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
43 ns
典型接通延迟时间
20 ns
零件号别名
BSC030N08NS5 SP001077098
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,BSC030N08NS5ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 DARL NPN 60V 1A
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
2,000:¥1.5594
参考库存:15800
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 47K 22K
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:17647
晶体管
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
1:¥9.1417
10:¥7.7631
100:¥5.9551
500:¥5.2658
1,000:¥4.1471
参考库存:6019
晶体管
IGBT 晶体管 600V 20A FSP IGBT
1:¥20.0575
10:¥17.063
100:¥13.673
500:¥11.9102
800:¥9.9101
参考库存:9516
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
1:¥29.2783
10:¥26.2047
100:¥21.5943
250:¥19.7524
500:¥17.6732
参考库存:4483
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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