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晶体管
NVMFD5C650NLWFT1G参考图片

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NVMFD5C650NLWFT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET T6 60V LL S08FL DS
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库存:16,994(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.9839
16.9839
10
¥14.4414
144.414
100
¥11.526
1152.6
500
¥10.0683
5034.15
1,500
¥7.7631
11644.65
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
111 A
Rds On-漏源导通电阻
3.5 mOhms, 3.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
37 nC, 37 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
NVMFD5C650NL
晶体管类型
2 N-Channel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
120 S, 120 S
下降时间
13 ns, 13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns, 24 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
37 ns, 37 ns
典型接通延迟时间
13 ns, 13 ns
商品其它信息
优势价格,NVMFD5C650NLWFT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AD
1:¥74.919
10:¥67.3932
25:¥61.3929
100:¥55.4039
250:¥50.9404
参考库存:5689
晶体管
MOSFET P-Chnl 100V
1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
4,000:¥2.8815
参考库存:23326
晶体管
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms
1:¥20.2044
10:¥17.2099
100:¥13.7521
500:¥11.9893
参考库存:13493
晶体管
MOSFET TAPE-7 MOSFET
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
2,000:¥1.5594
参考库存:38250
晶体管
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥8.0682
500:¥7.0625
1,000:¥5.8534
5,000:¥5.8534
参考库存:22882
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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