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晶体管
2SD1834T100参考图片

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2SD1834T100

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 DARL NPN 60V 1A
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库存:15,800(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.3053
4.3053
10
¥3.5708
35.708
100
¥2.3052
230.52
1,000
¥1.8419
1841.9
2,000
¥1.5594
3118.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
最大直流电集电极电流
1 A
最大集电极截止电流
1 uA
Pd-功率耗散
500 mW
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SD1834
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
2000
高度
1.5 mm
长度
4.5 mm
宽度
2.5 mm
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
2000
增益带宽产品fT
150 MHz
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
零件号别名
2SD1834
单位重量
130.500 mg
商品其它信息
优势价格,2SD1834T100的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥194.6312
5:¥184.8793
10:¥180.0316
25:¥165.432
参考库存:29409
晶体管
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
1:¥46.104
10:¥39.1884
100:¥33.9678
250:¥32.2728
450:¥28.8941
参考库存:29414
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V NPN BIP hFE 100-220
1:¥6.7574
10:¥5.7743
100:¥4.4296
500:¥3.9211
参考库存:29419
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
1:¥544.3323
5:¥534.3431
10:¥520.5119
25:¥510.2967
参考库存:29424
晶体管
MOSFET 60V 11A N Channel Power Mosfet
2,500:¥1.3899
5,000:¥1.3899
10,000:¥1.356
25,000:¥1.3108
参考库存:29429
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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