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晶体管
SQJ951EP-T1_GE3参考图片

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SQJ951EP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET Dual P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
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数量单价合计
1
¥11.4469
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10
¥9.379
93.79
100
¥7.2433
724.33
500
¥6.2263
3113.15
1,000
¥4.9268
4926.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8L-4
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
14 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
50 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
56 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
2 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
18 S
下降时间
28 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
39 ns
典型接通延迟时间
12 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SQJ951EP-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
暂无价格
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3,000:¥0.791
9,000:¥0.73789
24,000:¥0.67574
45,000:¥0.63732
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1,500:¥1.3786
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1,000:¥1.7063
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25,000:¥1.2882
50,000:¥1.2543
参考库存:32901
晶体管
IGBT 模块
15:¥428.383
30:¥414.5518
105:¥384.20
参考库存:32906
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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