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晶体管
FZT655TA参考图片

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FZT655TA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Voltage
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库存:58,469(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.1528
5.1528
10
¥4.2827
42.827
100
¥2.7685
276.85
1,000
¥2.2148
2214.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
150 V
集电极—基极电压 VCBO
150 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
180 mV
最大直流电集电极电流
1 A
增益带宽产品fT
30 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FZT655
直流电流增益 hFE 最大值
50
高度
1.65 mm
长度
6.7 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
3.7 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
50 at 10 mA, 5 V, 50 at 500 mA, 5 V, 20 at 1 A, 5 V
Pd-功率耗散
2 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格,FZT655TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 22K
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:45948
晶体管
MOSFET P-Channel 30 V, 0.048 Ohm typ., 4 A STripFET H6 Power MOSFET in PowerFLAT(TM) 2x2 package
1:¥3.9211
10:¥3.1979
100:¥1.9549
1,000:¥1.5029
3,000:¥1.2882
参考库存:9015
晶体管
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
1:¥4.3053
10:¥3.5821
100:¥2.1809
1,000:¥1.695
2,500:¥1.4464
参考库存:13647
晶体管
MOSFET N-CHAN 30V 100A
1:¥7.6049
10:¥6.4975
100:¥4.9833
500:¥4.407
1,000:¥3.4804
1,500:¥3.4804
参考库存:2144
晶体管
MOSFET 30V N & P Comp FET Enh 20Vgss Low Rdson
1:¥4.6895
10:¥3.9437
100:¥2.4069
1,000:¥1.8645
2,500:¥1.582
参考库存:13416
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    50万现货SKU

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