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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	47 kOhms
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-723
直流集电极/Base Gain hfe Min	400
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	- 100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN2113
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	120
高度	0.5 mm
长度	1.2 mm
宽度	0.8 mm
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
JANTX2N3637L/TR	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)	100:¥175.2743 250:¥160.8216 500:¥153.0698	参考库存:33426
TK49N65W,S1F	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch Power MOSFET Transistor	暂无价格	参考库存:33431
JANTXV2N3485A	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor	122:¥113.565 250:¥103.508 500:¥96.8975 1,000:¥88.8293	参考库存:33436
TSM085N03PQ33 RGG	Taiwan Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V 48Amp 8,5mohm N channel Mosfet	1:¥5.2206 10:¥4.4522 100:¥3.3222 500:¥2.4408 5,000:¥1.5594 10,000:查看	参考库存:33441
STGP20H60DF	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT	1:¥21.8994 10:¥18.5998 100:¥14.9047 500:¥12.9837	参考库存:9271