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晶体管
IPW60R199CPFKSA1参考图片

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IPW60R199CPFKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 650V 16A TO247-3 CoolMOS CP
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库存:4,506(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥32.431
32.431
10
¥27.5042
275.042
100
¥23.8995
2389.95
250
¥22.6678
5666.95
500
¥20.2835
10141.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
16 A
Rds On-漏源导通电阻
180 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
43 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
139 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
21.1 mm
长度
16.13 mm
系列
CoolMOS CE
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.21 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
IPW60R199CP IPW6R199CPXK SP000089802
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IPW60R199CPFKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed in a D2PAK package
1:¥21.5152
10:¥18.2834
100:¥14.5996
500:¥12.8368
参考库存:8544
晶体管
MOSFET PCH+PCH MOS FET FLT LD 2.9x2.8mm
3,000:¥2.486
参考库存:35008
晶体管
MOSFET 20V, Dual P-Channel Trench MOSFET
3,000:¥1.11418
9,000:¥1.04525
24,000:¥0.9831
45,000:¥0.9605
99,000:¥0.92999
参考库存:35013
晶体管
MOSFET 30V Dual N-ch Power MOSFET 3.3x3.25mm
5,000:¥1.5707
10,000:¥1.5142
25,000:¥1.4577
50,000:¥1.4125
参考库存:35018
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
2,500:¥4.2375
参考库存:35023
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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