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晶体管
PTVA127002EV-V1-R250参考图片

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PTVA127002EV-V1-R250

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
250
¥7,143.2046
1785801.15
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
105 V
Rds On-漏源导通电阻
100 mOhms
增益
16 dB
输出功率
700 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-36275-4
封装
Reel
工作频率
1200 MHz to 1400 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PTVA127002EV-V1-R250的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRFP4321PBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFT 150V 78A 15.5mOhm 71nC Qg
1:¥28.6568
10:¥24.3628
100:¥21.131
250:¥20.0575
500:¥17.9783
参考库存:4137
SI4825DDY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -30V Vds 25V Vgs SO-8
1:¥7.2207
10:¥5.9777
100:¥4.5878
500:¥3.955
2,500:¥3.955
参考库存:34319
IPB80P04P4L-04
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET P-Ch -40V -80A D2PAK-2 OptiMOS-P2
1:¥14.5205
10:¥12.2944
100:¥9.831
500:¥8.6106
1,000:¥7.1642
参考库存:5986
2N5550TAR
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥1.695
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
2,000:¥0.24634
参考库存:48438
MMBT3906LT1H
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT23 GP XSTR PBFREE
1:¥0.99892
10:¥0.86106
100:¥0.30736
1,000:¥0.20792
3,000:¥0.16159
参考库存:218910

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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