MMUN2233LT1G详细信息_MMUN2233LT1G相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	4.7 kOhms
典型电阻器比率	0.1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-23-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	80, 200
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	0.1 A
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	246 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	MMUN2233L
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	80
高度	0.94 mm
长度	2.9 mm
宽度	1.3 mm
商标	ON Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	8 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
DMN3025LFV-13	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V	1:¥3.2996 10:¥2.5312 100:¥1.3673 1,000:¥1.02943 3,000:¥0.88366 9,000:¥0.82942	参考库存:8943
IPC100N04S5L2R6ATMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET_(20V,40V)	1:¥7.7631 10:¥6.6218 100:¥5.085 500:¥4.4974 5,000:¥3.1527 10,000:查看	参考库存:13100
SMP860	InterFET	晶体管	PDF数据手册	JFET Dual JFET N-Ch -20V 50mA 400mW 2.3mW	1:¥135.1593 10:¥113.6441 100:¥104.5815 250:¥95.3607	参考库存:2702
BSC0702LSATMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS	1:¥11.3678 10:¥9.6841 100:¥7.458 500:¥6.5879 5,000:¥4.6104 10,000:查看	参考库存:26799
IPD60R180P7ATMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET	1:¥18.2156 10:¥15.4471 100:¥12.3735 500:¥10.8367 2,500:¥8.3733 5,000:查看	参考库存:54616