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晶体管
SIHH26N60EF-T1-GE3参考图片

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SIHH26N60EF-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
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3,000
¥26.8149
80444.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-8x8-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
25 A
Rds On-漏源导通电阻
117 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
77 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
202 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
系列
EF
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
45 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
54 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
80 ns
典型接通延迟时间
28 ns
商品其它信息
优势价格，SIHH26N60EF-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDWS9520L-F085
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET PT8P 40V LL DUAL PQF N56
1:¥14.4414
10:¥12.2944
100:¥9.831
500:¥8.6106
3,000:¥6.6218
6,000:查看
参考库存:28063
DSS2540M-7B
Diodes Incorporated
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS Low Sat Transisto X1-DFN1006-3,10K
10,000:¥0.5989
20,000:¥0.56048
参考库存:28068
MG12400D-BN2MM
Littelfuse
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IGBT 模块 1200V 400A Dual
60:¥1,287.9175
参考库存:28073
STD22NF06AG
STMicroelectronics
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MOSFET
2,500:¥2.1809
10,000:¥2.1018
25,000:¥2.0227
参考库存:28078
DDTA115GE-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 100K
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
参考库存:28083

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    50万现货SKU

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