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晶体管
SIHU3N50DA-GE3参考图片

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SIHU3N50DA-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 500V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
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库存:19,203(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.1416
7.1416
10
¥5.6952
56.952
100
¥4.3166
431.66
500
¥3.5708
1785.4
1,000
¥2.8589
2858.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
3 A
Rds On-漏源导通电阻
2.6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
69 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
D
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
1 S
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
75
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
12 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格,SIHU3N50DA-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 7.3A IPAK-3 CoolMOS C3
1:¥15.7522
10:¥13.3679
100:¥10.6785
500:¥9.379
1,000:¥7.7631
参考库存:8717
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 10KOhms 250MHz
1:¥2.0792
10:¥1.356
100:¥0.66105
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.29945
参考库存:89364
晶体管
MOSFET MOSFT PCh -100V 13A 205mOhm 38.7nC
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.8026
500:¥6.0116
1,000:¥4.746
3,000:¥4.746
参考库存:30961
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 83.2A TO247-3 CoolMOS C6
1:¥110.4914
10:¥101.587
25:¥97.3608
100:¥85.7557
参考库存:6818
晶体管
MOSFET T6 60V LL S08FL DS
1:¥8.2942
10:¥7.0399
100:¥5.4127
500:¥4.7799
1,000:¥3.7742
1,500:¥3.7742
参考库存:26100
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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