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晶体管
SIHU3N50DA-GE3参考图片

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SIHU3N50DA-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 500V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
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数量单价合计
1
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7.1416
10
¥5.6952
56.952
100
¥4.3166
431.66
500
¥3.5708
1785.4
1,000
¥2.8589
2858.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
3 A
Rds On-漏源导通电阻
2.6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
69 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
D
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
1 S
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
75
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
12 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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9,000:¥0.42262
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3,000:¥0.29945
9,000:¥0.25312
24,000:¥0.23843
45,000:¥0.22261
99,000:¥0.20001
参考库存:24697

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