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晶体管
IPD80R4K5P7ATMA1参考图片

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IPD80R4K5P7ATMA1

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库存:38,088(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.3788
5.3788
10
¥4.4974
44.974
100
¥2.9041
290.41
1,000
¥2.3165
2316.5
2,500
¥2.3165
5791.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
1.5 A
Rds On-漏源导通电阻
4.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
4 nC
最小工作温度
- 50 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
13 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
CoolMOS P7
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
80 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
IPD80R4K5P7 SP001422632
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格,IPD80R4K5P7ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 2A
1:¥16.0573
10:¥13.673
100:¥10.9158
500:¥9.5259
参考库存:9925
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 94A 7.5mOhm 63nC
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.8422
500:¥6.893
1,000:¥5.7178
参考库存:3087
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 4.7K 10K
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:23964
晶体管
IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi
1:¥291.4496
5:¥278.3868
10:¥269.6293
25:¥247.809
参考库存:1221
晶体管
IGBT 晶体管 1200V/25 FAST IGBT FSII T
1:¥38.8042
10:¥32.9621
100:¥28.589
250:¥27.12
500:¥24.3628
参考库存:2078
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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