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晶体管
SQS462EN-T1_GE3参考图片

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SQS462EN-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 60V 8A 33W AEC-Q101 Qualified
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库存:71,508(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.6049
7.6049
10
¥7.4806
74.806
100
¥5.9551
595.51
500
¥4.6669
2333.45
3,000
¥3.3787
10136.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
12 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
33 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
3.3 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
11 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
6 ns
商品其它信息
优势价格,SQS462EN-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch Clamped 62 Amp
1:¥11.752
10:¥9.9892
100:¥7.9891
500:¥7.0173
参考库存:9456
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 47K
1:¥2.0001
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.40002
3,000:¥0.30736
参考库存:31848
晶体管
达林顿晶体管 Hi V & A Darlington
1:¥5.537
10:¥4.6104
100:¥2.9606
1,000:¥2.373
参考库存:11540
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP
1:¥1.695
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:106557
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
4,000:¥0.71416
参考库存:39559
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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