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晶体管
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TTC004B,Q

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 2.5A 1.5W 280 HFE 0.5V Trans
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数量单价合计
1
¥3.7629
3.7629
10
¥2.7798
27.798
100
¥1.7515
175.15
1,000
¥1.3108
1310.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-126N-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
160 V
集电极—基极电压 VCBO
160 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
0.5 V
最大直流电集电极电流
1.5 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
TTC004B
直流电流增益 hFE 最大值
280
商标
Toshiba
集电极连续电流
1.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
140
Pd-功率耗散
10 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
250
子类别
Transistors
单位重量
84 g
商品其它信息
优势价格，TTC004B,Q的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFR 93AW H6327
Infineon Technologies
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
9,000:¥0.72998
参考库存:90950
DMP2066LSN-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET P-channel 1.25W
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:30082
VN2210N3-G
Microchip Technology
晶体管
MOSFET 100V 0.35Ohm
1:¥14.5996
10:¥14.3736
25:¥12.0684
100:¥10.9836
参考库存:9294
ZTX449
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
参考库存:21411
FDMA6023PZT
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET Dual P-Ch, -20V PowerTrench
1:¥5.763
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
3,000:¥2.0792
参考库存:16138

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    50万现货SKU

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