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晶体管
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LND150N8-G

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库存:31,063(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.6104
4.6104
10
¥4.5991
45.991
25
¥3.8759
96.8975
100
¥3.5595
355.95
2,000
¥3.5595
7119
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
30 mA
Rds On-漏源导通电阻
1 kOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.6 W
配置
Single
通道模式
Depletion
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.6 mm
长度
4.6 mm
产品
MOSFET Small Signal
晶体管类型
1 N-Channel
类型
FET
宽度
2.6 mm
商标
Microchip Technology
正向跨导 - 最小值
1 mS
下降时间
1.3 us
产品类型
MOSFET
上升时间
0.45 us
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
0.1 us
典型接通延迟时间
0.09 us
单位重量
52.800 mg
商品其它信息
优势价格,LND150N8-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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100:¥136.165
250:¥124.9441
500:¥118.9438
参考库存:38456
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    50万现货SKU

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    保证原装正品

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