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晶体管
DMC3026LSD-13参考图片

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DMC3026LSD-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 30V N & P Comp FET Enh 20Vgss Low Rdson
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数量单价合计
1
¥4.6895
4.6895
10
¥3.9437
39.437
100
¥2.4069
240.69
1,000
¥1.8645
1864.5
2,500
¥1.582
3955
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
6.5 A, 6.2 A
Rds On-漏源导通电阻
22 mOhms, 29 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
6 nC, 10.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMC3026
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
5.3 ns, 40.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.4 ns, 17.1 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22.3 ns, 60.5 ns
典型接通延迟时间
3.3 ns, 9.7 ns
单位重量
74 mg
商品其它信息
优势价格，DMC3026LSD-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSC054N04NS G
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
5,000:¥2.825
参考库存:155435
STD20NF06LT4
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-CH 60V 0.032 Ohm 24A STripFET II
1:¥7.9891
10:¥6.78
100:¥5.2093
500:¥4.5991
2,500:¥3.2205
10,000:查看
参考库存:96182
NVTFS4C05NTAG
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM
1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
1,500:¥2.3391
参考库存:54729
AUIRFS8407-7P
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 40V SGL N-CH HEXFET 1.3mOhms
1:¥24.5888
10:¥20.905
100:¥18.1365
250:¥17.2099
参考库存:13606
NVD4856NT4G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET DPAK 25V 89A 0.0047R
1:¥7.0738
10:¥5.989
100:¥4.5991
500:¥4.068
2,500:¥2.8476
10,000:查看
参考库存:16893

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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