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晶体管
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FGY40T120SMD

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数量单价合计
1
¥85.2133
85.2133
10
¥77.066
770.66
25
¥73.4613
1836.5325
100
¥63.7772
6377.72
250
¥60.9296
15232.4
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
882 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGY40T120SMD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
40 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
+/- 400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
7.629 g
商品其它信息
优势价格，FGY40T120SMD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN2N3637L
Microsemi
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥109.8812
250:¥100.1971
500:¥93.7448
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参考库存:35021
JANTXV2N5152U3
Microsemi
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100:¥995.078
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250:¥338.4802
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Microsemi
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参考库存:35036
STL8DN6LF3
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1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.232
3,000:¥5.0624
9,000:查看
参考库存:20636

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    50万现货SKU

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