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晶体管
BSC109N10NS3 G参考图片

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BSC109N10NS3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 63A TDSON-8 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥10.2152
10.2152
10
¥8.6784
86.784
100
¥6.7122
671.22
500
¥5.9212
2960.6
1,000
¥4.6782
4678.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
63 A
Rds On-漏源导通电阻
10.9 mOhms
配置
Single
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
零件号别名
BSC109N10NS3GATMA1 BSC19N1NS3GXT SP000778132
单位重量
300 mg
商品其它信息
优势价格，BSC109N10NS3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CMUT4401 TR
Central Semiconductor
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9,000:¥0.66896
24,000:¥0.61472
45,000:¥0.59212
99,000:¥0.56839
参考库存:34214
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6,000:¥0.42262
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24,000:¥0.37629
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100:¥380.7422
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参考库存:34229
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Diodes Incorporated
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MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
10,000:¥1.5368
参考库存:34234

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