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晶体管
BSC109N10NS3 G参考图片

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BSC109N10NS3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 63A TDSON-8 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥10.2152
10.2152
10
¥8.6784
86.784
100
¥6.7122
671.22
500
¥5.9212
2960.6
1,000
¥4.6782
4678.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
63 A
Rds On-漏源导通电阻
10.9 mOhms
配置
Single
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
零件号别名
BSC109N10NS3GATMA1 BSC19N1NS3GXT SP000778132
单位重量
300 mg
商品其它信息
优势价格，BSC109N10NS3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NSS1C300ET4G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR XTSR 3A/100V
1:¥4.8364
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
2,500:¥1.7628
参考库存:27601
NDS0605
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET P-Channel FET Enhancement Mode
1:¥2.9945
10:¥2.0566
100:¥0.86106
1,000:¥0.59212
3,000:¥0.46104
参考库存:326673
BUK7609-75A,118
Nexperia
晶体管
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥15.368
10:¥13.0628
100:¥10.4525
500:¥9.1417
800:¥7.5484
参考库存:16565
SGB07N120
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 8A
1:¥26.3516
10:¥22.4418
100:¥19.436
250:¥18.4416
1,000:¥13.9103
2,000:查看
参考库存:14567
STP12NM50
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 500 Volt 12 Amp
1:¥29.8885
10:¥25.3572
100:¥21.9785
250:¥20.8259
参考库存:6769

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    50万现货SKU

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