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晶体管
SQJ401EP-T1_GE3参考图片

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SQJ401EP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified
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库存:53,349(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥15.7522
15.7522
10
¥13.1419
131.419
100
¥10.1474
1014.74
500
¥8.9157
4457.85
1,000
¥7.3563
7356.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8L-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
32 A
Rds On-漏源导通电阻
5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
164 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
83 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
5.13 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
60 S
下降时间
166 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
63 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
263 ns
典型接通延迟时间
43 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SQJ401EP-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块
1:¥4,307.0402
5:¥4,047.4679
参考库存:7652
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥249.0407
5:¥237.8198
10:¥230.4409
25:¥211.6942
参考库存:29543
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon AF Transistor
1:¥1.5368
10:¥1.4238
100:¥0.49946
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:29548
晶体管
MOSFET N-Ch 30 Volt 90 Amp
1:¥8.8366
10:¥7.6049
100:¥5.8308
500:¥5.1528
参考库存:29553
晶体管
达林顿晶体管 PNP Silicn Darlingtn TRANSISTOR
1:¥2.7685
10:¥1.9097
100:¥0.79891
1,000:¥0.54579
3,000:¥0.42262
参考库存:29558
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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