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晶体管
STP36N60M6参考图片

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STP36N60M6

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
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库存:4,006(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥35.1204
35.1204
10
¥29.8885
298.885
100
¥25.8996
2589.96
250
¥24.5888
6147.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
85 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.25 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
44.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
208 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
系列
STP36N60M6
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
7.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.3 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50.2 ns
典型接通延迟时间
15.2 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,STP36N60M6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET NFET SC88 60V 295MA 1.6OH
1:¥2.9154
10:¥1.9888
100:¥0.82942
1,000:¥0.56839
3,000:¥0.44522
参考库存:149071
晶体管
MOSFET P-CH -60V HEXFET MOSFET HEXDI
1:¥7.2998
10:¥5.8647
100:¥4.4522
500:¥3.6725
参考库存:25323
晶体管
MOSFET NMOS TO220 80V 2.8 MOHM
1:¥25.5154
10:¥21.6734
100:¥18.7467
250:¥17.8314
参考库存:4655
晶体管
MOSFET SINGLE N-CH 150V ULTRAFET TRENCH
1:¥12.2153
10:¥10.3734
100:¥7.9891
500:¥7.0964
1,000:¥5.5935
参考库存:10442
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NCh RF Transistor
1:¥3.1527
10:¥2.3504
100:¥1.2769
1,000:¥0.9605
3,000:¥0.82264
9,000:¥0.77631
参考库存:12374
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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