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晶体管
IPP320N20N3 G参考图片

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IPP320N20N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 200V 34A TO220-3 OptiMOS 3
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库存:7,499(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.8259
20.8259
10
¥17.6732
176.732
100
¥15.368
1536.8
250
¥14.5205
3630.125
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
34 A
Rds On-漏源导通电阻
28 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
29 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
类型
OptiMOS 3 Power-Transistor
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
27 S
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
IPP320N20N3GXKSA1 IPP32N2N3GXK SP000677842
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP320N20N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET HEXFET Power MOSFET 40V Single N-Channel
1:¥22.8938
10:¥19.436
100:¥16.8257
250:¥15.9782
参考库存:6677
晶体管
MOSFET 12V P-Channel Trench MOSFET
1:¥4.8364
10:¥4.0002
100:¥2.4408
1,000:¥1.8871
4,500:¥1.6046
9,000:查看
参考库存:21844
晶体管
达林顿晶体管 PNP Epitaxial Sil
1:¥4.6895
10:¥3.8759
100:¥2.5086
1,000:¥2.0001
参考库存:9211
晶体管
MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥18.984
10:¥15.7522
100:¥12.2153
500:¥10.6785
参考库存:6078
晶体管
MOSFET P-CH -60V HEXFET MOSFET D-PAK
1:¥7.2998
10:¥5.8308
参考库存:17240
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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