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晶体管
IPP320N20N3 G参考图片

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IPP320N20N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 200V 34A TO220-3 OptiMOS 3
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库存：7,499(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.8259
20.8259
10
¥17.6732
176.732
100
¥15.368
1536.8
250
¥14.5205
3630.125
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
34 A
Rds On-漏源导通电阻
28 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
29 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
类型
OptiMOS 3 Power-Transistor
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
27 S
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
IPP320N20N3GXKSA1 IPP32N2N3GXK SP000677842
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPP320N20N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IGOT60R070D1AUMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 600V CoolGaN Power Transistor
1:¥174.2686
5:¥172.4267
10:¥160.7538
25:¥153.5218
800:¥108.3444
参考库存:3987
CSD19537Q3T
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 100v N ch MOSFET
1:¥9.831
10:¥8.3733
100:¥6.4523
250:¥6.4523
500:¥5.6952
参考库存:79979
FCP850N80Z
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 800V 8A NChn MOSFET SuperFET II, FRFET
1:¥12.2944
10:¥10.4525
100:¥8.2942
500:¥7.3111
参考库存:6236
PMZB320UPEYL
Nexperia
晶体管
MOSFET 30V P-Channel Trench MOSFET
1:¥2.9154
10:¥2.0566
100:¥0.94468
1,000:¥0.72207
10,000:¥0.56048
20,000:查看
参考库存:85188
FF600R12ME4EB11BOSA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥1,906.2422
5:¥1,860.3755
10:¥1,814.1924
25:¥1,788.7561
参考库存:1600

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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