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晶体管
IPB17N25S3100ATMA1参考图片

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IPB17N25S3100ATMA1

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库存:6,714(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.2153
12.2153
10
¥10.3734
103.734
100
¥8.2942
829.42
500
¥7.3111
3655.55
1,000
¥6.0681
6068.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
17 A
Rds On-漏源导通电阻
85 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
19 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
107 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
XPB17N25
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
1.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.7 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
7.5 ns
典型接通延迟时间
4.4 ns
零件号别名
IPB17N25S3-100 IPB17N25S31XT SP000876560
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPB17N25S3100ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 50A
1:¥834.0982
5:¥818.8093
10:¥781.9261
25:¥755.8796
参考库存:3030
晶体管
MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 600V, 6A, 750mOhm
1:¥13.0628
10:¥11.6051
100:¥9.1417
500:¥7.0964
2,500:¥5.0737
5,000:查看
参考库存:3287
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
1:¥9.9101
10:¥8.4524
100:¥6.5201
500:¥5.763
1,500:¥4.0341
9,000:查看
参考库存:5109
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥95.824
10:¥87.0552
25:¥80.6029
50:¥76.2298
参考库存:3426
晶体管
MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
1:¥4.6895
10:¥3.8872
100:¥2.5086
1,000:¥2.0001
3,000:¥1.695
参考库存:4013
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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