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晶体管
SI4126DY-T1-GE3参考图片

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SI4126DY-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
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库存:126,157(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.0518
19.0518
10
¥15.8313
158.313
100
¥12.2944
1229.44
500
¥10.7576
5378.8
2,500
¥10.7576
26894
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
39 A
Rds On-漏源导通电阻
2.75 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
70 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
7.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI4
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
75 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
43 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
SI4126DY-GE3
单位重量
187 mg
商品其它信息
优势价格,SI4126DY-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 500V N-Channel FRFET
1:¥77.7666
10:¥70.3086
25:¥67.009
100:¥58.2402
参考库存:2809
晶体管
达林顿晶体管 NPN Si Transistor Epitaxial Darlington
1:¥2.4634
10:¥1.6611
100:¥0.69156
1,000:¥0.47686
参考库存:71731
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥4.1471
10:¥2.0227
100:¥1.3899
500:¥1.1413
3,000:¥0.71416
9,000:查看
参考库存:16008
晶体管
MOSFET TRANS MOSFET PCH 12V 1.3A 6PIN
1:¥4.2262
10:¥3.4917
100:¥2.1357
1,000:¥1.6498
3,000:¥1.4012
参考库存:77355
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 18A 500V 50W 2600pF 0.27
1:¥27.1991
10:¥21.8994
参考库存:1777
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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