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晶体管
FGB20N60SFD-F085参考图片

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FGB20N60SFD-F085

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数量单价合计
1
¥20.0575
20.0575
10
¥17.063
170.63
100
¥13.673
1367.3
500
¥11.9102
5955.1
800
¥9.9101
7928.08
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.4 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
208 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FGB20N60S_F085
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
20 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
800
子类别
IGBTs
零件号别名
FGB20N60SFD_F085
单位重量
1.312 g
商品其它信息
优势价格,FGB20N60SFD-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET DTMOSIV 600V 40mOhm 61.8A 400W 6500pF
1:¥114.3334
10:¥103.8922
25:¥96.1291
50:¥90.9763
参考库存:2243
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE13
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
4,000:¥0.66105
参考库存:37395
晶体管
达林顿晶体管 NPN General Purpose
1:¥5.2997
10:¥4.4522
100:¥2.8702
1,000:¥2.3052
参考库存:21847
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS8
1:¥48.7934
10:¥39.1884
25:¥38.4991
100:¥35.7306
参考库存:6799
晶体管
MOSFET N-CH 800V 0.37Ohm 12A MDmesh K5
1:¥33.7305
10:¥28.6568
100:¥24.8148
250:¥23.5944
500:¥21.131
1,000:¥17.8314
参考库存:3181
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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