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晶体管
SI7141DP-T1-GE3参考图片

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SI7141DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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数量单价合计
1
¥17.8992
17.8992
10
¥14.8256
148.256
100
¥11.526
1152.6
500
¥10.0683
5034.15
1,000
¥8.2942
8294.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
1.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
400 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
104 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI7
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
103 S
下降时间
38 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
130 ns
典型接通延迟时间
25 ns
零件号别名
SI7141DP-GE3
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，SI7141DP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN2N5582
Microsemi
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250:¥68.93
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RJK4532DPD-00#J2
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暂无价格
参考库存:35166

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