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晶体管
C2M0280120D参考图片

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C2M0280120D

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • MOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 280 mOhm
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数量单价合计
1
¥41.7196
41.7196
100
¥40.115
4011.5
500
¥38.194
19097
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1.2 kV
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
280 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
5.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
62.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
Z-FET
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
2.8 S
下降时间
9.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.6 ns
工厂包装数量
30
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10.8 ns
典型接通延迟时间
5.2 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RJL5020DPK-00#T0
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MOSFET MOSFET - Lead Free
1:¥61.0087
10:¥54.9406
25:¥50.0251
50:¥46.33
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RJH60F3DPK-00#T0
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100:¥0.86784
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1,000:¥0.30736
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5:¥2,903.7045
参考库存:8097

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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