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晶体管
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CSD18531Q5AT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 60V N-channel NexFET Power MOSFET
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库存:5,787(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.7577
12.7577
10
¥10.8367
108.367
100
¥8.6106
861.06
250
¥8.6106
2152.65
500
¥7.5823
3791.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
134 A
Rds On-漏源导通电阻
4.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
43 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
156 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD18531Q5A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.9 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
128 S
开发套件
DRV8711EVM
下降时间
2.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.8 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
4.4 ns
单位重量
24 mg
商品其它信息
优势价格,CSD18531Q5AT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 80V 120A D2PAK-2
1:¥41.4145
10:¥35.1882
100:¥30.51
250:¥28.9732
1,000:¥21.8994
2,000:查看
参考库存:11653
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 40Vdss 20Vgss
1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
2,500:¥2.8815
参考库存:14800
晶体管
MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level
1:¥5.2206
10:¥4.3618
100:¥2.8137
1,000:¥2.2487
2,500:¥1.9097
参考库存:19877
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power
1:¥4.8364
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
参考库存:63109
晶体管
MOSFET P-Ch 60 V, 0.13 Ohm 3 A STripFET VI
1:¥5.4579
10:¥4.5539
100:¥2.938
1,000:¥2.3504
4,000:¥1.9775
参考库存:77606
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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