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晶体管
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FDP5N60NZ

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库存：7,222(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.2942
8.2942
10
¥7.119
71.19
100
¥5.4579
545.79
500
¥4.8364
2418.2
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
4.5 A
Rds On-漏源导通电阻
1.65 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
10 nC
Pd-功率耗散
100 W
配置
Single
商标名
UniFET
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FDP5N60NZ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
5 S
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，FDP5N60NZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TSC5304EDCH C5
Taiwan Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) High voltage NPN Transistor w/diode
3,750:¥2.0001
5,625:¥1.9662
11,250:¥1.808
26,250:¥1.7289
参考库存:29356
GTVA220701FA-V1-R2
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥878.2021
参考库存:29361
NVMFS5C442NAFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6-D3F 40V NFET
5,000:¥2.9154
10,000:¥2.8024
25,000:¥2.7233
参考库存:29366
GTVA220701FA-V1-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥878.2021
参考库存:29371
FQD12N20LTM-F085P
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET 200V /9A/0.28 OHM @ VGS=10V
2,500:¥5.6161
参考库存:29376

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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