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晶体管
RGTH60TS65DGC11参考图片

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RGTH60TS65DGC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 30A IGBT Stop Trench
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库存:5,091(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.8938
22.8938
10
¥19.5151
195.151
100
¥16.9048
1690.48
250
¥16.0573
4014.325
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
58 A
Pd-功率耗散
194 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RGTH60TS65
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
58 A
工作温度范围
- 40 C to + 175 C
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
30 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
RGTH60TS65D
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,RGTH60TS65DGC11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
1:¥18.984
10:¥16.1364
100:¥12.9046
500:¥11.30
1,000:¥9.379
参考库存:12552
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V TR
1:¥8.6106
10:¥7.2998
100:¥5.6048
500:¥4.9607
1,000:¥3.9098
1,500:¥3.4691
参考库存:19059
晶体管
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 39nC
1:¥9.605
10:¥8.2264
100:¥6.328
500:¥5.5822
1,000:¥4.407
2,000:¥4.407
参考库存:73486
晶体管
MOSFET MOSFT P-Ch -150V -13A 580mOhm 44nC
1:¥9.379
10:¥7.9891
100:¥6.1133
500:¥5.4127
参考库存:35323
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC
1:¥27.5042
10:¥23.3571
100:¥20.2044
250:¥19.21
500:¥17.2099
800:¥17.2099
参考库存:20485
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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