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晶体管
SPP06N80C3参考图片

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SPP06N80C3

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3
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库存：8,803(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.7521
13.7521
10
¥11.6842
116.842
100
¥9.2999
929.99
500
¥8.1473
4073.65
1,000
¥6.78
6780
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
PG-TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
900 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
31 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
83 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS C3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
72 ns
典型接通延迟时间
25 ns
零件号别名
SP000683154 SPP06N80C3XKSA1 SPP6N8C3XK
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，SPP06N80C3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC857CDW1T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 50V Dual PNP
1:¥1.7628
10:¥1.1639
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.26103
参考库存:200484
IRFR214TRPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-Chan 250V 2.2 Amp
1:¥13.3679
10:¥11.8311
100:¥9.379
500:¥7.2433
1,000:¥5.7291
2,000:¥5.1867
参考库存:19371
FDMB3900AN
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 25V Dual N-Chanenl
1:¥5.537
10:¥4.5652
100:¥2.938
1,000:¥2.3617
3,000:¥1.9888
参考库存:81958
FDS6692A
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 30V 9A 11.5 OHM NCH POWER TR
1:¥6.8365
10:¥5.65
100:¥3.6386
1,000:¥2.9154
2,500:¥2.9154
参考库存:18655
NTD4858NT4G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET 25V 73A 0.0062R DPAK
1:¥5.763
10:¥4.8138
100:¥3.1075
1,000:¥2.486
2,500:¥2.0905
参考库存:8557

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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