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晶体管
IPP034NE7N3 G参考图片

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IPP034NE7N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3
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库存：4,770(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.6678
22.6678
10
¥19.2891
192.891
100
¥16.7466
1674.66
250
¥15.8313
3957.825
500
¥14.2154
7107.7
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
3.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
88 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
214 W
配置
Single
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
类型
OptiMOS 3 Power-Transistor
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
150 S, 75 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
85 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
IPP034NE7N3GXKSA1 IPP34NE7N3GXK SP000641724
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPP034NE7N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MCCD2004-TP
Micro Commercial Components (MCC)
晶体管
MOSFET 10A, 20V Dual N Chan Mosfet,
1:¥4.7686
10:¥3.7064
100:¥2.5538
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.1639
参考库存:3317
RSJ300N10TL
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET PWR MOSFET LOW RESIST DEVICE
1:¥13.2888
10:¥11.30
100:¥9.0626
500:¥7.91
1,000:¥6.5427
参考库存:5654
IRFS52N15DTRRP
Infineon / IR
晶体管
MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 32mOhms 60nC
1:¥14.9838
10:¥12.7577
100:¥10.2152
500:¥8.9157
800:¥8.9157
参考库存:4306
NVTFS4823NTWG
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET Single N-Channel 30V,10A,10.5mOhm
5,000:¥2.0566
10,000:¥1.9775
25,000:¥1.9097
参考库存:25946
IPB600N25N3GATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 250V 25A D2PAK-2 OptiMOS 3
1:¥20.5208
10:¥17.4472
100:¥13.9103
500:¥12.1362
1,000:¥10.0683
参考库存:5408

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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