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晶体管
DMG4800LFG-7参考图片

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DMG4800LFG-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 30V/4.82 - 7.44A
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数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.7798
27.798
100
¥1.695
169.5
1,000
¥1.3108
1310.8
3,000
¥1.11418
3342.54
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN3030-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
7.44 A
Rds On-漏源导通电阻
11 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
9.47 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
940 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
产品
MOSFET Small Signal
系列
DMG4800
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
8.55 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26.33 ns
典型接通延迟时间
5.03 ns
商品其它信息
优势价格,DMG4800LFG-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP BJT NPN PNP 30V 1.5A 5PIN
1:¥3.616
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1,000:¥1.2317
3,000:¥1.05994
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10:¥1.4577
100:¥0.9379
1,000:¥0.31527
4,000:¥0.26103
8,000:查看
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1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.2207
1,000:¥5.6952
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10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
8,000:¥0.9379
24,000:查看
参考库存:33133
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    50万现货SKU

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