TSM280NB06LCR RLG详细信息_TSM280NB06LCR RLG相关参数PDF

晶体管

图片仅供参考，请参阅产品规格

购买、咨询产品请填写询价信息

询价型号*	数量*	批号	封装	品牌	其它要求

请确认联系方式，3分钟内即可给您回复

微信： QQ：

库存：32,168(价格仅供参考)

询价数量：

加入询价单立即询价

相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Taiwan Semiconductor
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	PDFN56-8
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	60 V
Id-连续漏极电流	28 A
Rds On-漏源导通电阻	28 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	1 V
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
Qg-栅极电荷	18 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
Pd-功率耗散	56 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
系列	TSM
晶体管类型	Single N-Channel Power MOSFET
商标	Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值	31 S
下降时间	18 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	19 ns
工厂包装数量	2500
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	10 ns
典型接通延迟时间	1 ns

商品其它信息

优势价格，TSM280NB06LCR RLG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
CZTA64 TR	Central Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	达林顿晶体管 . .	4,000:¥1.6046 10,000:¥1.5029 25,000:¥1.4238 50,000:¥1.3786	参考库存:30301
JANSR2N7262U	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	MOSFET	1:¥3,359.6708 5:¥3,313.4199 10:¥3,197.4706 25:¥3,081.5891	参考库存:30306
APTGT400U120D4G	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 Power Module - IGBT	100:¥1,048.4027	参考库存:30311
2N3819	Central Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-CH -25V 10mA BULK Engineering Hold	5,000:¥2.4182 10,000:¥2.3278 25,000:¥2.2374	参考库存:30316
SI4632DY-T1-E3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 25V 36A 7.8W 2.7mohm @ 10V	2,500:¥8.9157 5,000:¥8.5315 10,000:¥8.2264	参考库存:30321