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TIP112TU

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数量单价合计
1
¥5.2997
5.2997
10
¥4.4635
44.635
100
¥2.8815
288.15
1,000
¥2.3052
2305.2
2,000
¥2.0566
4113.2
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
是
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
最大直流电集电极电流
2 A
最大集电极截止电流
1000 uA
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
TIP112
封装
Tube
高度
9.4 mm
长度
10.67 mm
宽度
4.83 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
直流集电极/Base Gain hfe Min
1000 at 1 A at 4 V, 500 at 2 A at 4 V
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
零件号别名
TIP112TU_NL
单位重量
1.214 g
商品其它信息
优势价格，TIP112TU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ULN2003AINE4
Texas Instruments
晶体管
达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays
1,175:¥2.6781
2,000:¥2.4182
5,000:¥2.2487
10,000:¥2.1696
参考库存:45785
IRGS6B60KDTRLP
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 600V 5A
800:¥10.4525
2,400:¥9.6841
4,800:¥9.379
9,600:¥8.9948
参考库存:45790
JANTX2N5339
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥142.3122
10:¥129.3172
25:¥119.6444
50:¥113.1808
参考库存:2868
BSM50GB120DLC
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 1200V 50A DUAL
1:¥556.864
5:¥546.5584
10:¥532.5012
25:¥521.9696
参考库存:2580
CGH60030D-GP4
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt
10:¥561.6213
参考库存:2667

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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