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晶体管
SIR873DP-T1-GE3参考图片

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SIR873DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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库存：92,382(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.5204
12.5204
10
¥10.3734
103.734
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.0851
3542.55
1,000
¥5.876
5876
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
37 A
Rds On-漏源导通电阻
39.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
25 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
104 W
配置
Single
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIR
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
28 ns
典型接通延迟时间
15 ns
商品其它信息
优势价格，SIR873DP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TPC8062-H,LQ(CM
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch 30V FET 18A 1.9W 2400pF
3,000:¥6.0907
6,000:¥5.8534
9,000:¥5.6274
参考库存:28871
TP0606N3-G-P003
Microchip Technology
晶体管
MOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
2,000:¥3.6725
4,000:¥3.3561
10,000:¥3.2657
参考库存:28876
DDTD142TU-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 0.47K
3,000:¥0.36838
9,000:¥0.31527
24,000:¥0.29945
45,000:¥0.27685
参考库存:28881
FCP11N60N-F102
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET FCP11N60N, in TO220 F102 T/F option
800:¥13.1419
1,600:¥10.9158
3,200:¥10.1474
5,600:¥9.7632
参考库存:28886
DZTA42-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W 300V
2,500:¥1.11418
参考库存:28891

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