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晶体管

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TSM038N03PQ33 RGG

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 30V, 80A, 3.8mOhm
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数量单价合计
5,000
¥1.7628
8814
10,000
¥1.7628
17628
20,000
¥1.7289
34578
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PDFN33-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
2.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
24 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
66 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
产品
Rectifiers
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
13.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
19.5 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
42.8 ns
典型接通延迟时间
12.6 ns
商品其它信息
优势价格，TSM038N03PQ33 RGG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ULN2003AINE4
Texas Instruments
晶体管
达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays
1,175:¥2.6781
2,000:¥2.4182
5,000:¥2.2487
10,000:¥2.1696
参考库存:45785
IRGS6B60KDTRLP
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 600V 5A
800:¥10.4525
2,400:¥9.6841
4,800:¥9.379
9,600:¥8.9948
参考库存:45790
JANTX2N5339
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥142.3122
10:¥129.3172
25:¥119.6444
50:¥113.1808
参考库存:2868
BSM50GB120DLC
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 1200V 50A DUAL
1:¥556.864
5:¥546.5584
10:¥532.5012
25:¥521.9696
参考库存:2580
CGH60030D-GP4
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt
10:¥561.6213
参考库存:2667

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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