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晶体管
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FQI50N06TU

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库存:8,087(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.9948
8.9948
10
¥7.684
76.84
100
¥5.9099
590.99
500
¥5.2206
2610.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
22 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
3.75 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
7.88 mm
长度
10.29 mm
系列
FQI50N06
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.83 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
22 S
下降时间
65 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
105 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
FQI50N06TU_NL
单位重量
2.084 g
商品其它信息
优势价格,FQI50N06TU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 150V 78A 15.5mOhm 71nC Qg
1:¥28.6568
10:¥24.3628
100:¥21.131
250:¥20.0575
500:¥17.9783
参考库存:4137
晶体管
MOSFET -30V Vds 25V Vgs SO-8
1:¥7.2207
10:¥5.9777
100:¥4.5878
500:¥3.955
2,500:¥3.955
参考库存:34319
晶体管
MOSFET P-Ch -40V -80A D2PAK-2 OptiMOS-P2
1:¥14.5205
10:¥12.2944
100:¥9.831
500:¥8.6106
1,000:¥7.1642
参考库存:5986
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥1.695
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
2,000:¥0.24634
参考库存:48438
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT23 GP XSTR PBFREE
1:¥0.99892
10:¥0.86106
100:¥0.30736
1,000:¥0.20792
3,000:¥0.16159
参考库存:218910
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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