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晶体管
ZXTP2013GTA参考图片

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ZXTP2013GTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100V PNP Med Power
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数量单价合计
1
¥6.3054
6.3054
10
¥5.3788
53.788
100
¥4.1358
413.58
500
¥3.6612
1830.6
1,000
¥2.8815
2881.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 100 V
集电极—基极电压 VCBO
- 140 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
- 240 mV
最大直流电集电极电流
5 A
增益带宽产品fT
125 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXTP201
高度
1.65 mm
长度
6.7 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
3.7 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
- 5 A
Pd-功率耗散
3 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格，ZXTP2013GTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TSC5304EDCH C5
Taiwan Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) High voltage NPN Transistor w/diode
3,750:¥2.0001
5,625:¥1.9662
11,250:¥1.808
26,250:¥1.7289
参考库存:29356
GTVA220701FA-V1-R2
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥878.2021
参考库存:29361
NVMFS5C442NAFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6-D3F 40V NFET
5,000:¥2.9154
10,000:¥2.8024
25,000:¥2.7233
参考库存:29366
GTVA220701FA-V1-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥878.2021
参考库存:29371
FQD12N20LTM-F085P
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET 200V /9A/0.28 OHM @ VGS=10V
2,500:¥5.6161
参考库存:29376

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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