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晶体管
NVD5C486NLT4G参考图片

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NVD5C486NLT4G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET T6 40V DPAK EXP
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库存:95,358(价格仅供参考)
数量单价合计
2,500
¥2.1244
5311
10,000
¥2.0453
20453
25,000
¥1.9549
48872.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DPAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
24 A
Rds On-漏源导通电阻
16 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
9.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
18 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
25.5 S
下降时间
2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
6 ns
商品其它信息
优势价格,NVD5C486NLT4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET
1:¥3,458.1051
5:¥3,410.5434
10:¥3,291.1363
25:¥3,171.8761
参考库存:33151
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥3,941.1236
参考库存:33156
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) High voltage NPN Transistor with diode
5,000:¥2.0001
10,000:¥1.8419
25,000:¥1.7628
参考库存:33161
晶体管
MOSFET 60V 107A Single N-Chan Pwr MOSFET
5,000:¥5.2658
10,000:¥5.1528
参考库存:33166
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 50V 3A
2,500:¥1.9436
10,000:¥1.8758
25,000:¥1.7967
50,000:¥1.7741
参考库存:33171
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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