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晶体管
BFN26E6327HTSA1参考图片

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BFN26E6327HTSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon Hi-Volt TRANSISTORS
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库存:124,104(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.6103
2.6103
10
¥1.695
16.95
100
¥0.72998
72.998
1,000
¥0.56048
560.48
3,000
¥0.42262
1267.86
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
300 V
集电极—基极电压 VCBO
300 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
0.5 V
最大直流电集电极电流
500 mA
增益带宽产品fT
70 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BFN26
高度
1 mm
长度
2.9 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
集电极连续电流
200 mA
Pd-功率耗散
360 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
26 BFN BFN26E6327XT E6327 SP000014785
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BFN26E6327HTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 60V
1:¥7.7631
10:¥6.667
100:¥5.1302
500:¥4.5313
1,000:¥3.5708
参考库存:6303
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
2,500:¥1.11418
10,000:¥1.11418
参考库存:53805
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor PNP 47kohm -100mA -50V
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
8,000:¥0.20001
24,000:查看
参考库存:34257
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥6.0681
10:¥5.0624
100:¥3.2657
1,000:¥2.6103
3,000:¥2.6103
参考库存:18812
晶体管
MOSFET NCH4.5A60V4.5V DRIV E CPH6
1:¥4.2262
10:¥3.4691
100:¥2.1244
1,000:¥1.6385
3,000:¥1.4012
参考库存:34264
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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