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晶体管
ALD210808APCL参考图片

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ALD210808APCL

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库存:32,783(价格仅供参考)
数量单价合计
50
¥42.3411
2117.055
100
¥40.341
4034.1
250
¥35.2673
8816.825
500
¥34.2729
17136.45
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Linear Devices
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
PDIP-16
通道数量
4 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
10 V
Id-连续漏极电流
70 mA
Rds On-漏源导通电阻
25 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10.6 V
最小工作温度
0 C
最大工作温度
+ 70 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Quad
通道模式
Enhancement
商标名
EPAD
封装
Tube
系列
ALD210808A
晶体管类型
4 N-Channel
商标
Advanced Linear Devices
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
1.025 g
商品其它信息
优势价格,ALD210808APCL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small Signal Transistor NPN
1:¥4.7686
10:¥4.0002
100:¥2.5086
1,000:¥1.8871
3,000:¥1.6046
参考库存:36360
晶体管
MOSFET 600V, N-Channel MOSFET, UniFET-II
1:¥8.6106
10:¥7.4015
100:¥5.6839
500:¥5.0172
参考库存:9447
晶体管
MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥4.8364
10:¥3.9211
100:¥2.9832
500:¥2.4634
3,000:¥2.4634
参考库存:17444
晶体管
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
1:¥35.5724
10:¥29.4252
100:¥24.2837
250:¥23.5153
500:¥21.0519
参考库存:5061
晶体管
IGBT 晶体管 600V 60A Trench Gate 1.8V Vce IGBT
1:¥40.6461
10:¥34.578
100:¥29.9676
250:¥28.4308
参考库存:5573
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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